SI7445DP-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI7445DP-T1-GE3概述

MOSFET 20V 19A 5.4W 7.7mohm @ 4.5V

P-Channel 20V 12A Ta 1.9W Ta Surface Mount PowerPAK® 1212-8

得捷:
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK 1212-8

贸泽:
MOSFET 20V 19A 5.4W 7.7mohm @ 4.5V

SI7445DP-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

极性 P-Channel

耗散功率 1.9W Ta

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids -12.0 A

耗散功率Max 1.9W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 1212-8

外形尺寸

封装 1212-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI7445DP-T1-GE3

型号： SI7445DP-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET 20V 19A 5.4W 7.7mohm @ 4.5V

替代型号SI7445DP-T1-GE3

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

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Vishay Siliconix

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