SI4831BDY-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI4831BDY-T1-GE3概述

MOSFET P-CH 30V 6.6A 8-SOIC

P-Channel 30V 6.6A Tc 2W Ta, 3.3W Tc Surface Mount 8-SO

得捷:
MOSFET P-CH 30V 6.6A 8SO

SI4831BDY-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 2W Ta, 3.3W Tc

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 625pF @15VVds

耗散功率Max 2W Ta, 3.3W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4831BDY-T1-GE3

型号： SI4831BDY-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH 30V 6.6A 8-SOIC

替代型号SI4831BDY-T1-GE3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SI4831BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
SI4831BDY-T1-E3 Vishay Siliconix	完全替代	SI4831BDY-T1-GE3和SI4831BDY-T1-E3的区别

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