SI7856ADP-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI7856ADP-T1-E3概述

MOSFET 30V 25A 5.4W 3.7mohm @ 10V

N-Channel 30V 15A Ta 1.9W Ta Surface Mount PowerPAK® SO-8

得捷:
MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

贸泽:
MOSFET 30V 25A 5.4W 3.7mohm @ 10V

SI7856ADP-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 1.9W Ta

漏源极电压Vds 30 V

耗散功率Max 1.9W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI7856ADP-T1-E3

型号： SI7856ADP-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET 30V 25A 5.4W 3.7mohm @ 10V

替代型号SI7856ADP-T1-E3