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SI4886DY-T1-E3概述

MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC

N-Channel 30V 9.5A Ta 1.56W Ta Surface Mount 8-SO

得捷:
MOSFET N-CH 30V 9.5A 8SO

贸泽:
MOSFET 30V 13A 2.95W

SI4886DY-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 1.56W Ta

漏源极电压Vds 30 V

耗散功率Max 1.56W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SO-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.75 mm

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4886DY-T1-E3

型号： SI4886DY-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC

替代型号SI4886DY-T1-E3

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