SI4682DY-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI4682DY-T1-GE3概述

MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

N-Channel 30V 16A Tc 2.5W Ta, 4.45W Tc Surface Mount 8-SOIC

得捷:
MOSFET N-CH 30V 16A 8SO

贸泽:
MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4174DY-T1-GE3

SI4682DY-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 2.5W Ta, 4.45W Tc

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 1595pF @15VVds

耗散功率Max 2.5W Ta, 4.45W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SO-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.75 mm

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4682DY-T1-GE3

型号： SI4682DY-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

替代型号SI4682DY-T1-GE3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SI4682DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
SI4174DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	功能相似	SI4682DY-T1-GE3和SI4174DY-T1-GE3的区别

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SI4682DY-T1-GE3

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功能相似