SI1405BDH-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI1405BDH-T1-GE3概述

MOSFET P-CH 8V 1.6A SC-70-6

表面贴装型 P 通道 8 V 1.6A（Tc） 1.47W（Ta），2.27W（Tc） SC-70-6（SOT-363）

得捷:
MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6

贸泽:
MOSFET

DeviceMart:
MOSFET P-CH 8V SC-70-6

SI1405BDH-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 1.47W Ta, 2.27W Tc

漏源极电压Vds 8 V

输入电容Ciss 305pF @4VVds

耗散功率Max 1.47W Ta, 2.27W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SC-70-6

外形尺寸

长度 2.1 mm

宽度 1.25 mm

高度 1 mm

封装 SC-70-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI1405BDH-T1-GE3

型号： SI1405BDH-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH 8V 1.6A SC-70-6