SIE854DF-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SIE854DF-T1-GE3概述

MOSFET 100V 64A 125W 14.2mohm @ 10V

表面贴装型 N 通道 100 V 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK®（L）

得捷:
MOSFET N-CH 100V 60A 10POLARPAK

贸泽:
MOSFET 100V 64A 125W 14.2mohm @ 10V

DeviceMart:
MOSFET N-CH D-S 100V POLARPAK

SIE854DF-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 5.2W Ta, 125W Tc

漏源极电压Vds 100 V

输入电容Ciss 3100pF @50VVds

耗散功率Max 5.2W Ta, 125W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 PolarPAK-10

外形尺寸

封装 PolarPAK-10

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIE854DF-T1-GE3

型号： SIE854DF-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET 100V 64A 125W 14.2mohm @ 10V

替代型号SIE854DF-T1-GE3

型号/品牌

代替类型

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SIE854DF-T1-GE3

Vishay Siliconix

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完全替代

SIR846ADP-T1-GE3

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