SIB414DK-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SIB414DK-T1-GE3概述

MOSFET N-CH 8V 9A PPAK SC75-6

表面贴装型 N 通道 9A（Tc） 2.4W（Ta），13W（Tc） PowerPAK® SC-75-6L 单

得捷:
MOSFET N-CH 8V 9A PPAK SC75-6

贸泽:
MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SIB404DK-T1-GE3

SIB414DK-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 2.4W Ta, 13W Tc

漏源极电压Vds 8 V

输入电容Ciss 732pF @4VVds

耗散功率Max 2.4W Ta, 13W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SC-75-6L

外形尺寸

封装 SC-75-6L

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIB414DK-T1-GE3

型号： SIB414DK-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 8V 9A PPAK SC75-6

替代型号SIB414DK-T1-GE3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SIB414DK-T1-GE3 Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
SIB404DK-T1-GE3 Vishay Siliconix	功能相似	SIB414DK-T1-GE3和SIB404DK-T1-GE3的区别

型号/品牌

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Vishay Siliconix

当前型号

SIB404DK-T1-GE3

Vishay Siliconix

功能相似