SI7107DN-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI7107DN-T1-GE3概述

MOSFET 20V 15.3A 3.8W 10.8mohm @ 4.5V

表面贴装型 P 通道 20 V 9.8A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK® 1212-8

得捷:
MOSFET P-CH 20V 9.8A PPAK1212-8

贸泽:
MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SIS407DN-T1-GE3

SI7107DN-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

极性 P-Channel

耗散功率 1.5W Ta

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids -15.3 A, 15.3 A

耗散功率Max 1.5W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerPAK-1212-8

外形尺寸

长度 3.3 mm

宽度 3.3 mm

高度 1.04 mm

封装 PowerPAK-1212-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI7107DN-T1-GE3

型号： SI7107DN-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET 20V 15.3A 3.8W 10.8mohm @ 4.5V

替代型号SI7107DN-T1-GE3