SI7483ADP-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SI7483ADP-T1-GE3概述

MOSFET P-CH 30V 14A PPAK SO-8

表面贴装型 P 通道 14A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK® SO-8

得捷:
MOSFET P-CH 30V 14A PPAK SO-8

SI7483ADP-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 1.9W Ta

漏源极电压Vds 30 V

耗散功率Max 1.9W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI7483ADP-T1-GE3

型号： SI7483ADP-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH 30V 14A PPAK SO-8

替代型号SI7483ADP-T1-GE3

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

SI7483ADP-T1-GE3

Vishay Siliconix

当前型号

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SI7483ADP-T1-E3

Vishay Siliconix

完全替代

SI7483ADP-T1-GE3和SI7483ADP-T1-E3的区别