SI1012R-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

SI1012R-T1-E3图片1

SI1012R-T1-E3图片2

SI1012R-T1-E3图片3

SI1012R-T1-E3概述

MOSFET N-CH 20V 500mA SC-75A

表面贴装型 N 通道 500mA（Ta） 150mW（Ta） SC-75A

得捷:
MOSFET N-CH 20V 500MA SC75A

贸泽:
MOSFET 20V 0.6A

SI1012R-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 150mW Ta

漏源极电压Vds 20 V

耗散功率Max 150mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SC-75

外形尺寸

封装 SC-75

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI1012R-T1-E3

型号： SI1012R-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 20V 500mA SC-75A

替代型号SI1012R-T1-E3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SI1012R-T1-E3 Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
SI1012CR-T1-GE3 Vishay Siliconix	类似代替	SI1012R-T1-E3和SI1012CR-T1-GE3的区别
SI1046R-T1-GE3 Vishay Siliconix	类似代替	SI1012R-T1-E3和SI1046R-T1-GE3的区别
SI1046R-T1-E3 Vishay Siliconix	类似代替	SI1012R-T1-E3和SI1046R-T1-E3的区别