SI7138DP-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI7138DP-T1-E3概述

MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8

N-Channel 60V 30A Tc 5.4W Ta, 96W Tc Surface Mount PowerPAK® SO-8

得捷:
MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8

SI7138DP-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 5.4W Ta, 96W Tc

漏源极电压Vds 60 V

输入电容Ciss 6900pF @30VVds

耗散功率Max 5.4W Ta, 96W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI7138DP-T1-E3

型号： SI7138DP-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8

替代型号SI7138DP-T1-E3