SI1067X-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI1067X-T1-E3概述

MOSFET P-CH 20V 1.06A SOT563F

表面贴装型 P 通道 20 V 1.06A（Ta） 236mW（Ta） SC-89（SOT-563F）

得捷:
MOSFET P-CH 20V 1.06A SC89-6

SI1067X-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 236mW Ta

漏源极电压Vds 20 V

输入电容Ciss 375pF @10VVds

耗散功率Max 236mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SC-89-6

外形尺寸

封装 SC-89-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI1067X-T1-E3

型号： SI1067X-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH 20V 1.06A SOT563F

替代型号SI1067X-T1-E3