SI1039X-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

SI1039X-T1-E3图片1

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SI1039X-T1-E3概述

MOSFET P-CH 12V 0.87A SOT563F

表面贴装型 P 通道 12 V 870mA（Ta） 170mW（Ta） SC-89-6

得捷:
MOSFET P-CH 12V 870MA SC89-6

SI1039X-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 170mW Ta

漏源极电压Vds 12 V

耗散功率Max 170mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SC-89-6

外形尺寸

封装 SC-89-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI1039X-T1-E3

型号： SI1039X-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH 12V 0.87A SOT563F

替代型号SI1039X-T1-E3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SI1039X-T1-E3 Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
SI1039X-T1-GE3 Vishay Siliconix	完全替代	SI1039X-T1-E3和SI1039X-T1-GE3的区别
SI1067X-T1-GE3 Vishay Siliconix	功能相似	SI1039X-T1-E3和SI1067X-T1-GE3的区别
SI1073X-T1-E3 Vishay Siliconix	功能相似	SI1039X-T1-E3和SI1073X-T1-E3的区别