SI1031R-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

SI1031R-T1-E3图片1

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SI1031R-T1-E3概述

MOSFET P-CH 20V 0.14A SC-75A

表面贴装型 P 通道 20 V 140mA（Ta） 250mW（Ta） SC-75A

得捷:
MOSFET P-CH 20V 140MA SC75A

SI1031R-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 8.00 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 250mW Ta

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 -20.0 V

栅源击穿电压 ±6.00 V

连续漏极电流Ids -150 mA

耗散功率Max 250mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SC-75

外形尺寸

封装 SC-75

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI1031R-T1-E3

型号： SI1031R-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH 20V 0.14A SC-75A

替代型号SI1031R-T1-E3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SI1031R-T1-E3 Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
SI1031R-T1-GE3 Vishay Siliconix	类似代替	SI1031R-T1-E3和SI1031R-T1-GE3的区别
NTE4151PT1G 安森美	功能相似	SI1031R-T1-E3和NTE4151PT1G的区别
BS250P 美台	功能相似	SI1031R-T1-E3和BS250P的区别