NTE4151PT1G和SI1031R-T1-E3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 NTE4151PT1G SI1031R-T1-E3 MMBF170

描述 P 通道功率 MOSFET,20V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON SemiconductorMOSFET P-CH 20V 0.14A SC-75AFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBF170  晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 2.1 V

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Vishay Siliconix Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 SC-89-3 SC-75 SOT-23-3

额定电压(DC) -20.0 V - 60.0 V

额定电流 -760 mA - 500 mA

通道数 1 - 1

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.26 Ω 8.00 Ω 5 Ω

极性 N-Channel, P-Channel P-Channel N-Channel

耗散功率 313 mW 250mW (Ta) 300 mW

阈值电压 - - 2.1 V

输入电容 156 pF - 40.0 pF

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 60 V

漏源击穿电压 20 V -20.0 V 60.0 V

栅源击穿电压 ±6.00 V ±6.00 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 760 mA -150 mA 500 mA

输入电容(Ciss) 156pF @5V(Vds) - 40pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 313 mW - 300 mW

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 313 mW 250mW (Ta) 300mW (Ta)

上升时间 8.2 ns - -

下降时间 20.4 ns - -

长度 1.7 mm - 2.92 mm

宽度 0.95 mm - 1.3 mm

高度 0.8 mm - 0.93 mm

封装 SC-89-3 SC-75 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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