SUD50N04-09H-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SUD50N04-09H-E3概述

Mosfet n-Ch 40V 50A To252

表面贴装型 N 通道 40 V 50A（Tc） 83.3W（Tc） TO-252，（D-Pak）

得捷:
MOSFET N-CH 40V 50A TO252

SUD50N04-09H-E3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 83.3W Tc

漏源极电压Vds 40 V

输入电容Ciss 3700pF @25VVds

耗散功率Max 83.3W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SUD50N04-09H-E3

型号： SUD50N04-09H-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：Mosfet n-Ch 40V 50A To252

替代型号SUD50N04-09H-E3

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替代型号对比

SUD50N04-09H-E3

Vishay Siliconix

当前型号

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IPD50N04S3-09

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