SI4390DY-T1-GE3

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SI4390DY-T1-GE3概述

Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8Pin SOIC N T/R

N-Channel 30V 8.5A Ta 1.4W Ta Surface Mount 8-SO


得捷:
MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SO


贸泽:
MOSFET 30V 12.5A 3.0W 9.5mohm @ 10V


SI4390DY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 1.4W Ta

漏源极电压Vds 30 V

耗散功率Max 1.4W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.75 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4390DY-T1-GE3
型号: SI4390DY-T1-GE3
制造商: Vishay Siliconix
描述:Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8Pin SOIC N T/R
替代型号SI4390DY-T1-GE3
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

SI4390DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

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