SI6469DQ-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SI6469DQ-T1-E3概述

Mosfet p-Ch 8V 8tssop

表面贴装型 P 通道 8 V 6A（Ta） 1.5W（Ta） 8-TSSOP

得捷:
MOSFET P-CH 8V 8TSSOP

SI6469DQ-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 28.0 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 1.5W Ta

漏源极电压Vds 8 V

栅源击穿电压 ±8.00 V

连续漏极电流Ids -6.00 A to 6.00 A

耗散功率Max 1.5W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSSOP-8

外形尺寸

封装 TSSOP-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI6469DQ-T1-E3

型号： SI6469DQ-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：Mosfet p-Ch 8V 8tssop

替代型号SI6469DQ-T1-E3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SI6469DQ-T1-E3 Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
DMP2022LSS-13 美台	功能相似	SI6469DQ-T1-E3和DMP2022LSS-13的区别
FDW254P 飞兆/仙童	功能相似	SI6469DQ-T1-E3和FDW254P的区别
FDW254P_NL 飞兆/仙童	功能相似	SI6469DQ-T1-E3和FDW254P_NL的区别