FDW254P和SI6469DQ-T1-E3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDW254P SI6469DQ-T1-E3 DMP2022LSS-13

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDW254P  晶体管, MOSFET, P沟道, 9.2 A, -20 V, 12 mohm, -4.5 V, 600 mVMosfet p-Ch 8V 8tssopP-沟道 20 V 13 mOhm 2.5 W 表面贴装 增强型 Mosfet - SOIC-8

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Siliconix Diodes (美台)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 - 8

封装 TSSOP-8 TSSOP-8 SOIC-8

额定电压(DC) -20.0 V - -

额定电流 -9.20 A - -

针脚数 8 - 8

漏源极电阻 12 mΩ 28.0 mΩ 0.008 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 1.3 W 1.5W (Ta) 2.5 W

阈值电压 600 mV - 770 mV

漏源极电压(Vds) 20 V 8 V 20 V

栅源击穿电压 ±8.00 V ±8.00 V -

连续漏极电流(Ids) 9.20 A -6.00 A to 6.00 A 10A

上升时间 15 ns - 9.9 ns

输入电容(Ciss) 5878pF @10V(Vds) - 2444pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 600 mW - 2.5 W

下降时间 15 ns - 76.5 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 1.3W (Ta) 1.5W (Ta) 2500 mW

输入电容 - - 2444 pF

长度 4.4 mm - 5.3 mm

宽度 3 mm - 4.1 mm

高度 1 mm - 1.50 mm

封装 TSSOP-8 TSSOP-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2014/06/16 - 2015/12/17

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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