MOSFET N-CH 55V 30A TO252
N-Channel 55V 30A Tc 50W Tc Surface Mount TO-252AA
得捷:
MOSFET N-CH 55V 30A TO252AA
贸泽:
MOSFET N-Channel 55V AEC-Q101 Qualified
通道数 1
漏源极电阻 0.016 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 50 W
阈值电压 1.5 V
漏源极电压Vds 55 V
漏源击穿电压 55 V
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 1175pF @25VVds
下降时间 5 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 50W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SQD30N05-20L_GE3 Vishay Siliconix | 当前型号 | 当前型号 |
SQD35N05-26L-GE3 Vishay Siliconix | 类似代替 | SQD30N05-20L_GE3和SQD35N05-26L-GE3的区别 |
SQD30N05-20L-GE3 Vishay Siliconix | 功能相似 | SQD30N05-20L_GE3和SQD30N05-20L-GE3的区别 |