SQ4410EY-T1_GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

SQ4410EY-T1_GE3图片1

SQ4410EY-T1_GE3概述

MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC

表面贴装型 N 通道 30 V 15A（Tc） 5W（Tc） 8-SOIC

得捷:
MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC

SQ4410EY-T1_GE3中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 5W Tc

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 2385pF @25VVds

耗散功率Max 5W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

数据手册

在线购买SQ4410EY-T1_GE3

型号： SQ4410EY-T1_GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC

替代型号SQ4410EY-T1_GE3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SQ4410EY-T1_GE3 Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
SIR168DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	类似代替	SQ4410EY-T1_GE3和SIR168DP-T1-GE3的区别
SI5980DU-T1-GE3 Vishay Siliconix	功能相似	SQ4410EY-T1_GE3和SI5980DU-T1-GE3的区别
SI2305ADS-T1-E3 Vishay Siliconix	功能相似	SQ4410EY-T1_GE3和SI2305ADS-T1-E3的区别