SI1431DH-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SI1431DH-T1-E3概述

Mosfet p-Ch 30V 1.7A Sot363

表面贴装型 P 通道 30 V 1.7A（Ta） 950mW（Ta） SC-70-6

得捷:
MOSFET P-CH 30V 1.7A SC70-6

SI1431DH-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 950mW Ta

漏源极电压Vds 30 V

耗散功率Max 950mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SC-70-6

外形尺寸

封装 SC-70-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI1431DH-T1-E3

型号： SI1431DH-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：Mosfet p-Ch 30V 1.7A Sot363

替代型号SI1431DH-T1-E3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
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