对比图
型号 SI1417EDH-T1-E3 SI1431DH-T1-E3 FDG316P
描述 MOSFET P-CH 12V 2.7A SC70-6Mosfet p-Ch 30V 1.7A Sot363PowerTrench® P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
数据手册 ---
制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6
引脚数 6 - 6
耗散功率 1 W 950mW (Ta) 750 mW
漏源极电压(Vds) 12 V 30 V 30 V
耗散功率(Max) 1W (Ta) 950mW (Ta) 750mW (Ta)
额定电压(DC) - - 30.0 V
额定电流 - - 1.60 A
通道数 - - 1
针脚数 - - 6
漏源极电阻 0.133 Ω - 190 mΩ
极性 P-Channel - P-Channel
输入电容 - - 165 pF
栅电荷 - - 3.50 nC
漏源击穿电压 - - 30 V
栅源击穿电压 ±12.0 V - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) -3.30 A - 1.60 A
上升时间 - - 9 ns
输入电容(Ciss) - - 165pF @15V(Vds)
额定功率(Max) - - 480 mW
下降时间 - - 2 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
封装 SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6
长度 - - 2 mm
宽度 - - 1.25 mm
高度 - - 1 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Obsolete Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2014/06/16 - 2015/06/15
ECCN代码 - - EAR99