SI4178DY-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SI4178DY-T1-E3概述

MOSFET N-CH 30V 12A 8SO

表面贴装型 N 通道 12A（Tc） 2.4W（Ta），5W（Tc） 8-SO

得捷:
MOSFET N-CH 30V 12A 8SO

SI4178DY-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 2.4W Ta, 5W Tc

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 405pF @15VVds

耗散功率Max 2.4W Ta, 5W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4178DY-T1-E3

型号： SI4178DY-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 30V 12A 8SO

替代型号SI4178DY-T1-E3

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SI4178DY-T1-E3和SI4178DY-T1-GE3的区别