SIR844DP-T1-GE3

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SIR844DP-T1-GE3概述

MOSFET 25V 50A 50W 2.8mohm @ 10V

N-Channel 25V 50A Tc 5W Ta, 50W Tc Surface Mount PowerPAK® SO-8


得捷:
MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8


SIR844DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 5W Ta, 50W Tc

漏源极电压Vds 25 V

输入电容Ciss 3215pF @10VVds

耗散功率Max 5W Ta, 50W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIR844DP-T1-GE3
型号: SIR844DP-T1-GE3
制造商: Vishay Siliconix
描述:MOSFET 25V 50A 50W 2.8mohm @ 10V

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