SI6953DQ

SI6953DQ图片1
SI6953DQ中文资料参数规格
技术参数

通道数 2

漏源极电阻 96 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 1 W

漏源击穿电压 20 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

上升时间 15 ns

下降时间 1.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSSOP-8

外形尺寸

长度 4.4 mm

宽度 3 mm

高度 1 mm

封装 TSSOP-8

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: SI6953DQ
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:双路20V P沟道PowerTrench MOSFET Dual 20V P-Channel PowerTrench MOSFET

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