SI2303BDS-T1参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI2303BDS-T1概述

MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23

P-Channel 30V 1.49A Ta 700mW Ta Surface Mount SOT-23-3 TO-236

得捷:
MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3

贸泽:
MOSFET 30V 1.64A 1.25W

SI2303BDS-T1中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 700mW Ta

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 180pF @15VVds

耗散功率Max 700mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.6 mm

高度 1.45 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI2303BDS-T1

型号： SI2303BDS-T1

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23

替代型号SI2303BDS-T1