SQD50N10-8M9L_GE3

SQD50N10-8M9L_GE3图片1
SQD50N10-8M9L_GE3概述

MOSFET 100V 50A 45W AEC-Q101 Qualified

表面贴装型 N 通道 50A(Tc) 136W(Tc) TO-252AA


得捷:
MOSFET N-CH 100V 50A TO252AA


SQD50N10-8M9L_GE3中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 136W Tc

漏源极电压Vds 100 V

输入电容Ciss 2950pF @25VVds

耗散功率Max 136W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买SQD50N10-8M9L_GE3
型号: SQD50N10-8M9L_GE3
制造商: Vishay Siliconix
描述:MOSFET 100V 50A 45W AEC-Q101 Qualified

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