SI4396DY-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI4396DY-T1-GE3概述

MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

N-Channel 30V 16A Tc 3.1W Ta, 5.4W Tc Surface Mount 8-SO

得捷:
MOSFET N-CH 30V 16A 8SO

贸泽:
MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4712DY-GE3

DeviceMart:
MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC

SI4396DY-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 3.1W Ta, 5.4W Tc

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 1675pF @15VVds

耗散功率Max 3.1W Ta, 5.4W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4396DY-T1-GE3

型号： SI4396DY-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

替代型号SI4396DY-T1-GE3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SI4396DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
SI4396DY-T1-E3 Vishay Siliconix	完全替代	SI4396DY-T1-GE3和SI4396DY-T1-E3的区别

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Vishay Siliconix

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