SQJ464EP-T1_GE3

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SQJ464EP-T1_GE3概述

PowerPAK N-CH 60V 32A

MOSFET


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SQJ464EP-T1_GE3


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 32A Automotive 5-Pin4+Tab PowerPAK SO T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin PowerPAK SO T/R


SQJ464EP-T1_GE3中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 32A

上升时间 8.9 ns

输入电容Ciss 1670pF @30VVds

下降时间 8.8 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 45000 mW

封装参数

引脚数 5

封装 SOP

外形尺寸

长度 6.15 mm

宽度 5.13 mm

高度 1.04 mm

封装 SOP

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SQJ464EP-T1_GE3
型号: SQJ464EP-T1_GE3
制造商: VISHAY 威世
描述:PowerPAK N-CH 60V 32A

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