SUD30N03-30参数规格_中文资料_数据手册PDF

SUD30N03-30中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 30.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 50.0 W

漏源击穿电压 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids -30.0 A to 30.0 A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.38 mm

封装 TO-252-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买SUD30N03-30

型号： SUD30N03-30

制造商： Vishay Siliconix

描述：Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3Pin2+Tab DPAK Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3Pin2+Tab DPAK

替代型号SUD30N03-30