SIHJ10N60E-T1-GE3

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SIHJ10N60E-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.313 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 89 W

阈值电压 4.5 V

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 24 ns

输入电容Ciss 784pF @100VVds

下降时间 13 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 89W Tc

封装参数

引脚数 5

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: SIHJ10N60E-T1-GE3
制造商: VISHAY 威世
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 0.313 ohm, 10 V, 4.5 V

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