SI6433DQ-T1参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI6433DQ-T1中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 60.0 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 1.50 W

栅源击穿电压 ±8.00 V

连续漏极电流Ids -4.00 A to 4.00 A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSSOP-8

外形尺寸

长度 4.4 mm

宽度 3 mm

高度 1.2 mm

封装 TSSOP-8

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

数据手册

在线购买SI6433DQ-T1

型号： SI6433DQ-T1

制造商： Vishay Siliconix

描述：Small Signal Field-Effect Transistor, 4A ID, 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TSSOP-8

替代型号SI6433DQ-T1

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SI6433DQ-T1 Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
TPS1100DR 德州仪器	功能相似	SI6433DQ-T1和TPS1100DR的区别
SI4403CDY-T1-GE3 Vishay Intertechnology	功能相似	SI6433DQ-T1和SI4403CDY-T1-GE3的区别

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SI6433DQ-T1

Vishay Siliconix

当前型号

TPS1100DR

德州仪器

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SI4403CDY-T1-GE3

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