SI5441DC-T1

SI5441DC-T1中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 55.0 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 1.30 W

栅源击穿电压 ±12.0 V

连续漏极电流Ids -3.90 A

封装参数

安装方式 Surface Mount

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: SI5441DC-T1
制造商: Vishay Siliconix
描述:MOSFET 20V 5.3A 2.5W
替代型号SI5441DC-T1
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