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SI1917EDH-T1中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 370 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 730 mW

栅源击穿电压 ±12.0 V

连续漏极电流Ids -1.00 A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-363-6

外形尺寸

长度 2.1 mm

宽度 1.25 mm

高度 1 mm

封装 SOT-363-6

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SI1917EDH-T1

型号： SI1917EDH-T1

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET 10V 1.15A

替代型号SI1917EDH-T1

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SI1917EDH-T1 Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
SI1965DH-T1-E3 Vishay Siliconix	类似代替	SI1917EDH-T1和SI1965DH-T1-E3的区别
SI1905DL-T1-E3 Vishay Siliconix	功能相似	SI1917EDH-T1和SI1905DL-T1-E3的区别
SI1965DH-T1-GE3 Vishay Siliconix	功能相似	SI1917EDH-T1和SI1965DH-T1-GE3的区别