SQJ952EP-T1_GE3

SQJ952EP-T1_GE3图片1
SQJ952EP-T1_GE3概述

N-CH 60V 23A

DUAL N-CH 60-V PPAK SO-8L


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 23A Automotive 5-Pin4+Tab PowerPAK SO T/R


安富利:
Dual N-Channel MOSFET in 5 mm x 6 mm PowerPAK SO-8L, 60 V, 20 mΩ


SQJ952EP-T1_GE3中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 23A

上升时间 6 ns

输入电容Ciss 1500pF @30VVds

下降时间 9 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 25000 mW

封装参数

引脚数 5

封装 PowerPAKSO-8L-4

外形尺寸

长度 6.15 mm

宽度 5.13 mm

高度 1.04 mm

封装 PowerPAKSO-8L-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SQJ952EP-T1_GE3
型号: SQJ952EP-T1_GE3
制造商: VISHAY 威世
描述:N-CH 60V 23A

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