SIHJ6N65E-T1-GE3

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SIHJ6N65E-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 4

漏源极电阻 0.755 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 74 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 5.6A

上升时间 14 ns

输入电容Ciss 596pF @100VVds

下降时间 17 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 74000 mW

封装参数

引脚数 5

封装 SO-8L-4

外形尺寸

封装 SO-8L-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

最小包装 3000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SIHJ6N65E-T1-GE3
型号: SIHJ6N65E-T1-GE3
制造商: VISHAY 威世
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 5.6 A, 650 V, 0.755 ohm, 10 V, 2 V

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