SST3904HZGT116参数规格_中文资料_数据手册PDF

SST3904HZGT116概述

单晶体管双极, NPN, 40 V, 300 MHz, 350 mW, 200 mA, 30 hFE

Bipolar BJT Transistor NPN 40V 200mA 300MHz 200mW Surface Mount SST3

得捷:
TRANS NPN 40V 0.2A SST3

立创商城:
SST3904HZGT116

贸泽:
ROHM Semiconductor

艾睿:
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

SST3904HZGT116中文资料参数规格

技术参数

额定功率 0.2 W

针脚数 3

耗散功率 350 mW

击穿电压集电极-发射极 40 V

最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 1V

最大电流放大倍数hFE 300

额定功率Max 200 mW

直流电流增益hFE 30

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 350 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

SST3904HZGT116引脚图与封装图

在线购买SST3904HZGT116

型号： SST3904HZGT116

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：单晶体管双极, NPN, 40 V, 300 MHz, 350 mW, 200 mA, 30 hFE