SIHB33N60ET1-GE3

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SIHB33N60ET1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 98 mΩ

极性 N-CH

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 33A

上升时间 43 ns

输入电容Ciss 3508pF @100VVds

下降时间 48 ns

封装参数

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

最小包装 2000

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

数据手册

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型号: SIHB33N60ET1-GE3
制造商: VISHAY 威世
描述:N沟道 600V 33A

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