SG2003J/883B

SG2003J/883B中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 0.5A

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 CDIP

外形尺寸

封装 CDIP

其他

产品生命周期 Active

海关信息

香港进出口证 NLR

数据手册

在线购买SG2003J/883B
型号: SG2003J/883B
制造商: Microsemi 美高森美
描述:CDIP NPN 50V 0.5A
替代型号SG2003J/883B
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

SG2003J/883B

Microsemi 美高森美

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完全替代

SG2003J/883B和SG2003N的区别

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