SG2003J和SG2003J/883B

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SG2003J SG2003J/883B SG2003J/DESC

描述 高压中等电流驱动器阵列 HIGH VOLTAGE MEDIUM CURRENT DRIVER ARRAYSCDIP NPN 50V 0.5ASmall Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 7-Element, NPN, Silicon,

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 16 - -

封装 CDIP-16 CDIP -

极性 NPN NPN -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V -

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A -

最小电流放大倍数(hFE) 1000 @350mA, 2V - -

工作温度(Max) 125 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

封装 CDIP-16 CDIP -

工作温度 150℃ (TJ) - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube - -

RoHS标准 Non-Compliant - -

含铅标准 Lead Free - -

ECCN代码 EAR99 - -

香港进出口证 NLR NLR -

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