SQJ459EP-T1_GE3

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SQJ459EP-T1_GE3概述

晶体管, MOSFET, P沟道, -52 A, -60 V, 0.0155 ohm, -10 V, -2 V

MOSFET


立创商城:
P沟道 60V 52A


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, P沟道, 60 V, 52 A, 0.0155 ohm, PowerPAK SO, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 60V 52A Automotive 5-Pin4+Tab PowerPAK SO T/R


SQJ459EP-T1_GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0155 Ω

耗散功率 83 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 60 V

上升时间 19 ns

输入电容Ciss 3448pF @30VVds

下降时间 45 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 83000 mW

封装参数

引脚数 5

封装 SO-8

外形尺寸

长度 6.15 mm

宽度 5.13 mm

高度 1.04 mm

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SQJ459EP-T1_GE3
型号: SQJ459EP-T1_GE3
制造商: VISHAY 威世
描述:晶体管, MOSFET, P沟道, -52 A, -60 V, 0.0155 ohm, -10 V, -2 V

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