SP8M4FRATB

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SP8M4FRATB概述

双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 9 A, 30 V, 0.012 ohm, 10 V, 2.5 V

MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 30V 9A(Ta),7A(Ta) 2W 表面贴装型 8-SOP


得捷:
4V DRIVE NCH+PCH MOSFET CORRESP


e络盟:
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 30 V, 9 A, 0.012 ohm, SOP, 表面安装


SP8M4FRATB中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.012 Ω

耗散功率 2 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 30 V

额定功率Max 2 W

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOP-8

外形尺寸

封装 SOP-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

数据手册

SP8M4FRATB引脚图与封装图
SP8M4FRATB引脚图
SP8M4FRATB封装图
SP8M4FRATB封装焊盘图
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型号: SP8M4FRATB
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 9 A, 30 V, 0.012 ohm, 10 V, 2.5 V

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