TH58NVG3S0HTAI0

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TH58NVG3S0HTAI0中文资料参数规格
技术参数

供电电流 30 mA

位数 8

存取时间 25 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V

封装参数

引脚数 48

封装 TSOP-48

外形尺寸

封装 TSOP-48

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买TH58NVG3S0HTAI0
型号: TH58NVG3S0HTAI0
制造商: Toshiba 东芝
描述:NAND闪存 3.3V 8Gb 24nm SLC NAND EEPROM

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