TLV2772CDR

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TLV2772CDR概述

CMOS 运算放大器### 运算放大器,Texas Instruments

低电压高速 CMOS


得捷:
IC CMOS 2 CIRCUIT 8SOIC


欧时:
Texas Instruments 运算放大器 TLV2772CDR 双 精确, 5.1MHz增益带宽积, 3 至 5V, 8引脚 SOIC封装


立创商城:
TLV2772CDR


德州仪器TI:
Dual, 5.5-V, 5.1-MHz, high slew rate 10.5-V/μs operational amplifier


贸泽:
Operational Amplifiers - Op Amps Dual 2.7-V High Slew Rate R-To-R Output


艾睿:
Op Amp Dual High Output Current Amplifier R-R O/P ±3V/6V 8-Pin SOIC T/R


安富利:
OP Amp Dual GP R-R O/P ±3V/6V 8-Pin SOIC T/R


Chip1Stop:
High Output CurrentDual 2.7-V High Slew Rate Rail-To-Rail Output Operational Amplifier OP Amp Dual GP R-R O/P ±3V/6V 8-Pin SOIC T/R


Verical:
Op Amp Dual High Output Current Amplifier R-R O/P ±3V/6V 8-Pin SOIC T/R


DeviceMart:
IC OPAMP GP R-R 5.1MHZ 8SOIC


Win Source:
IC OPAMP GP 5.1MHZ RRO 8SOIC


TLV2772CDR中文资料参数规格
技术参数

供电电流 1 mA

电路数 2

通道数 2

耗散功率 725 mW

共模抑制比 70 dB

输入补偿漂移 2.00 µV/K

带宽 5.10 MHz

转换速率 10.5 V/μs

增益频宽积 5.1 MHz

过温保护 No

输入补偿电压 500 µV

输入偏置电流 2 pA

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

增益带宽 5.1 MHz

耗散功率Max 725 mW

共模抑制比Min 70 dB

电源电压Max 6 V

电源电压Min 2.5 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.91 mm

高度 1.58 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

TLV2772CDR引脚图与封装图
TLV2772CDR引脚图
TLV2772CDR封装图
TLV2772CDR封装焊盘图
在线购买TLV2772CDR
型号: TLV2772CDR
制造商: TI 德州仪器
描述:CMOS 运算放大器 ### 运算放大器,Texas Instruments
替代型号TLV2772CDR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

TLV2772CDR

TI 德州仪器

当前型号

当前型号

TLV2772CDRG4

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完全替代

TLV2772CDR和TLV2772CDRG4的区别

TLV2772CD

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类似代替

TLV2772CDR和TLV2772CD的区别

TLV2772CDG4

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