TLV4110IDR

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TLV4110IDR概述

系列高输出驱动运算放大器,带有关断 FAMILY OF HIGH OUTPUT DRIVE OPERATIONAL AMPLIFIERS WITH SHUTDOWN

通用 放大器 1 电路 满摆幅 8-SOIC


得捷:
IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8SOIC


立创商城:
TLV4110IDR


德州仪器TI:
High Output Drive, Low Voltage, Single Operational Amplifier w/Shutdown


贸泽:
Operational Amplifiers - Op Amps High Output Drive Low Voltage Single


艾睿:
OP Amp Single GP R-R O/P 6V 8-Pin SOIC T/R


安富利:
OP Amp Single GP R-R O/P 6V 8-Pin SOIC T/R


Chip1Stop:
OP Amp Single GP R-R O/P 6V 8-Pin SOIC T/R


Verical:
OP Amp Single GP R-R O/P 6V 8-Pin SOIC T/R


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  TLV4110IDR  Operational Amplifier, Single, 1 Amplifier, 2.7 MHz, 1.57 V/µs, 2.5V to 6V, SOIC, 8 Pins


力源芯城:
高输出驱动带关断功能的运放


TLV4110IDR中文资料参数规格
技术参数

供电电流 700 µA

电路数 1

通道数 1

耗散功率 710 mW

共模抑制比 68 dB

输入补偿漂移 3.00 µV/K

带宽 2.7 MHz

转换速率 1.57 V/μs

增益频宽积 2.7 MHz

过温保护 No

输入补偿电压 175 µV

输入偏置电流 0.3 pA

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

增益带宽 2.7 MHz

耗散功率Max 710 mW

共模抑制比Min 68 dB

电源电压 2.5V ~ 6V

电源电压Max 6 V

电源电压Min 2.5 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.91 mm

高度 1.58 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

TLV4110IDR引脚图与封装图
TLV4110IDR引脚图
TLV4110IDR封装图
TLV4110IDR封装焊盘图
在线购买TLV4110IDR
型号: TLV4110IDR
制造商: TI 德州仪器
描述:系列高输出驱动运算放大器,带有关断 FAMILY OF HIGH OUTPUT DRIVE OPERATIONAL AMPLIFIERS WITH SHUTDOWN
替代型号TLV4110IDR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

TLV4110IDR

TI 德州仪器

当前型号

当前型号

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