TLE2061CDR

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TLE2061CDR概述

JFET 输入运算放大器,Excalibur TLE 系列与早期系列的 JFET 输入放大器相比,Texas Instruments Excalibur 系列 BiFET 运算放大器具有显著改进。 TLE2060 系列是低功率 JFET 输入运算放大器,与早期 TL060 和 TL030 BiFET 系列相比,带宽加倍,但功耗无显著增加;此外,它们与 TL030/TL060 设备相比噪音更低。 与早期 TL070 和 TL080 系列相比,TLE2070 和 TLE2080 系列的带宽超过其两倍,转换速率是其三倍,且噪音级别更低。 它们还可在高达 ±19V 的更高电源电压下工作。### 运算放大器,Texas Instruments

JFET 输入,Excalibur TLE 系列

与早期系列的 JFET 输入放大器相比,Texas Instruments Excalibur 系列 BiFET 运算放大器具有显著改进。

TLE2060 系列是低功率 JFET 输入运算放大器,与早期 TL060 和 TL030 BiFET 系列相比,带宽加倍,但功耗无显著增加;此外,它们与 TL030/TL060 设备相比噪音更低。

与早期 TL070 和 TL080 系列相比,TLE2070 和 TLE2080 系列的带宽超过其两倍,转换速率是其三倍,且噪音级别更低。 它们还可在高达 ±19V 的更高电源电压下工作。


得捷:
IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8SOIC


立创商城:
TLE2061CDR


德州仪器TI:
Single, 36-V, 2-MHz, In to V+, JFET-input operational amplifier


欧时:
Texas Instruments 运算放大器 TLE2061CDR, 1.8MHz增益带宽积, 8引脚 SOIC封装


艾睿:
OP Amp Single GP ±18V 8-Pin SOIC T/R


安富利:
OP Amp Single GP ±18V 8-Pin SOIC T/R


Verical:
OP Amp Single GP ±18V 8-Pin SOIC T/R


TLE2061CDR中文资料参数规格
技术参数

供电电流 290 µA

电路数 1

通道数 1

共模抑制比 65 dB

输入补偿漂移 6.00 µV/K

带宽 1.80 MHz

转换速率 3.40 V/μs

增益频宽积 1.8 MHz

输入补偿电压 3.1 mV

输入偏置电流 4 pA

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

共模抑制比Min 65 dB

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.91 mm

高度 1.58 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

TLE2061CDR引脚图与封装图
TLE2061CDR引脚图
TLE2061CDR封装图
TLE2061CDR封装焊盘图
在线购买TLE2061CDR
型号: TLE2061CDR
制造商: TI 德州仪器
描述:JFET 输入运算放大器,Excalibur TLE 系列 与早期系列的 JFET 输入放大器相比,Texas Instruments Excalibur 系列 BiFET 运算放大器具有显著改进。 TLE2060 系列是低功率 JFET 输入运算放大器,与早期 TL060 和 TL030 BiFET 系列相比,带宽加倍,但功耗无显著增加;此外,它们与 TL030/TL060 设备相比噪音更低。 与早期 TL070 和 TL080 系列相比,TLE2070 和 TLE2080 系列的带宽超过其两倍,转换速率是其三倍,且噪音级别更低。 它们还可在高达 ±19V 的更高电源电压下工作。 ### 运算放大器,Texas Instruments
替代型号TLE2061CDR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

TLE2061CDR

TI 德州仪器

当前型号

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TL061CDR

德州仪器

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TL061ID

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