对比图
型号 TL061CDR TLE2061CDR TL061CD
描述 JFET输入OPJFET 输入运算放大器，Excalibur TLE 系列与早期系列的 JFET 输入放大器相比，Texas Instruments Excalibur 系列 BiFET 运算放大器具有显著改进。 TLE2060 系列是低功率 JFET 输入运算放大器，与早期 TL060 和 TL030 BiFET 系列相比，带宽加倍，但功耗无显著增加；此外，它们与 TL030/TL060 设备相比噪音更低。 与早期 TL070 和 TL080 系列相比，TLE2070 和 TLE2080 系列的带宽超过其两倍，转换速率是其三倍，且噪音级别更低。 它们还可在高达 ±19V 的更高电源电压下工作。### 运算放大器，Texas InstrumentsTL06x、TL07x、TL08x、JFET 输入、低输入偏置电流运算放大器TL06x、TL07x 和 TL08x 是具有高输入阻抗 JFET 输入阶段的运算放大器。 它们具有高转换速率、低输入偏置和偏置电流、低偏置电压温度系数。低功耗：200 μA（TL06x，每个放大器） 宽共模和差分电压范围 低噪声，通常为 15 nV/√Hz (TL07x) 低谐波失真：0.01% (TL07x) 输出短路保护 内部频率补偿 闩锁自由操作 高转换速率：16 V/μs（TL07x、TL08x），3.5 V/μs (TL06x) ### 运算放大器，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 运算放大器运算放大器运算放大器
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
供电电流 200 µA 290 µA 200 µA
电路数 1 1 1
通道数 1 1 1
共模抑制比 70 dB 65 dB 70 dB
输入补偿漂移 10.0 µV/K 6.00 µV/K -
带宽 1.00 MHz 1.80 MHz 1 MHz
转换速率 3.50 V/μs 3.40 V/μs 3.50 V/μs
增益频宽积 1 MHz 1.8 MHz 1 MHz
输入补偿电压 3 mV 3.1 mV 3 mV
输入偏置电流 30 pA 4 pA 30 pA
工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃
共模抑制比(Min) 70 dB 65 dB 70 dB
耗散功率 - - 680 mW
耗散功率(Max) - - 680 mW
电源电压 7V ~ 36V - 6V ~ 36V
电源电压(Max) - - 36 V
电源电压(Min) - - 6 V
增益带宽 1 MHz - -
长度 4.9 mm 4.9 mm 4.9 mm
宽度 3.91 mm 3.91 mm 3.9 mm
高度 1.58 mm 1.58 mm 1.25 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17