TK50P04M1T6RSS-Q参数规格_中文资料_数据手册PDF

TK50P04M1T6RSS-Q概述

MOSFET N-CH 40V 50A DP TO252-3

N-Channel 40V 50A Ta 60W Tc Surface Mount DP

得捷:
MOSFET N-CH 40V 50A DP

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin2+Tab Case DP

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin2+Tab Case DP

DeviceMart:
MOSFET N-CH 40V 50A DP TO252-3

Win Source:
MOSFET N-CH 40V 50A DP TO252-3

TK50P04M1T6RSS-Q中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 60W Tc

漏源极电压Vds 40 V

输入电容Ciss 2600pF @10VVds

额定功率Max 60 W

耗散功率Max 60W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

TK50P04M1T6RSS-Q引脚图与封装图

在线购买TK50P04M1T6RSS-Q

型号： TK50P04M1T6RSS-Q

制造商： Toshiba 东芝

描述：MOSFET N-CH 40V 50A DP TO252-3